457nm 고출력 단일 주파수 청색 레이저

457nm 고출력 단일 주파수파란색 레이저
457nm 고출력 단일 주파수 청색 레이저의 광 경로 설계 (단일 주파수)
펌프 광원으로는 30W 광섬유 결합 레이저 다이오드 어레이를 사용합니다. 둘째로, 모드 선택을 위해 링 공진기를 선택합니다. 공진기의 끝면은 0.1% 농도의 Nd³⁺ 도핑된 이트륨 바나데이트(Nd:YVO₄) 결정(길이 5mm)으로 펌핑합니다. 그런 다음, I형 위상 정합 리튬 트리보레이트(LBO) 결정 공진기를 통해 2차 조화파를 발생시켜 457nm의 고출력 단일 주파수를 얻습니다.원자 램프펌프 전력이 30W일 때, 457nm 단일 주파수 레이저의 출력은 5.43W이고, 중심 파장은 457.06nm이며, 광 변환 효율은 18.1%이고, 1시간 동안의 출력 안정성은 0.464%입니다. 457nm 레이저는 공진기 내에서 기본 모드로 동작합니다. 빔 품질 계수는 x축과 y축 방향으로 각각 1.04와 1.07이며, 광점의 타원율은 97%입니다.

고출력 청색광의 광경로에 대한 설명단일 주파수 레이저
펌프 소스는 광섬유로 결합된 방식을 사용합니다.반도체 레이저 다이오드중심 파장 808nm, 연속 출력 30W, 광섬유 코어 직경 400μm, 개구수 0.22의 어레이.
펌프광은 초점 거리가 20mm인 두 개의 평면 볼록 렌즈에 의해 평행광으로 만들어지고 집속된 후 입사광으로 작용합니다.레이저 결정레이저 결정은 도핑 농도가 0.1%인 3mm × 3mm × 5mm 크기의 Nd:YVO4 결정이며, 양쪽 끝에 808nm와 914nm 파장의 반사 방지막이 증착되어 있습니다. 이 결정은 인듐 호일로 감싸서 구리 고정 장치에 고정합니다. 구리 고정 장치는 반도체 냉각기를 사용하여 정밀하게 온도 제어되며 15℃로 설정됩니다.
공진기는 M1, M2, M3, M4로 구성된 4개의 거울로 이루어진 고리형 공동입니다.
M1은 808nm, 1064nm, 1342nm 파장에 대해 반사 방지막(R<0.05%)이, 914nm 파장에 대해 전반사막(R>99.8%)이 형성된 평면 거울이다. M4는 914nm 파장에 대해 전반사막(R>99.8%)이, 457nm, 1064nm, 1342nm 파장에 대해 반사 방지막(R<0.02%)이 형성된 평면 출력 거울이다. M2와 M3는 모두 곡률 반경 r = 100mm인 평면 오목 거울로, 평면에는 1064nm와 1342nm 파장에 대해 반사 방지막(R<0.05%)이, 오목면에는 914nm와 457nm 파장에 대해 전반사막(R>99.8%)이 형성되어 있다.
자기장 내에 배치된 반파판과 TGG 결정에는 모두 914nm 파장에 대한 반사 방지막(R<0.02%)이 코팅되어 있습니다. TGG와 반파판으로 구성된 광학 단방향 장치를 도입함으로써 레이저가 링 공진기 내에서 단방향으로만 진행하도록 하여 단일 주파수 상태에서 안정적으로 동작할 수 있도록 합니다. FP는 두께 2mm의 표준 규격으로 양면에 50%의 반사율 코팅이 되어 있으며, 공진기 내에서 레이저의 단일 주파수 동작을 2차적으로 좁히는 역할을 합니다. 주파수 배가 결정으로는 3mm × 3mm × 15mm 크기의 LBO 결정을 사용했으며, 914nm와 457nm 파장에 대한 반사 방지막(R<0.02%)이 코팅되어 있고, I형 위상 정합, 절단각 θ = 90°, φ = 21.9°입니다.