ROF Si 가변 이득 광검출기 실리콘 광검출기

간략한 설명:

ROF-PR-11M-B는 320nm에서 1100nm 범위의 광 신호를 검출하도록 설계된 증폭 및 게인 조절 기능을 갖춘 실리콘(Si) 광검출기입니다. 8단계 회전 스위치를 통해 10dB 단위로 게인을 조절할 수 있습니다. 이 버퍼는 최대 10V의 출력으로 고임피던스 부하를 구동할 수 있으며, 50Ω 부하에서 5V를 출력합니다. ROF-PR-11M-B 하우징에는 탈착식 나사형 커넥터(SM1T1)와 고정 링(SM1RR)이 포함되어 있어 내부 또는 외부 나사산을 통해 동일 사양의 광 액세서리와 호환됩니다. 이를 통해 외부 광 필터를 쉽게 설치하고 간편한 장착 방식을 제공합니다.


제품 상세 정보

Rofea Optoelectronics는 광학 및 광자학 분야의 전기광학 변조기 제품을 제공합니다.

제품 태그

특징

스펙트럼 범위: 320nm~1100nm

3dB 대역폭: 최대 11MHz

최대 게인 설정: 4.75×10⁶ V/A (고임피던스 부하)

저소음

공간 광학 커플링 입력, 광섬유 커플링은 선택 사항입니다.

실리콘 광검출기, 광검출기, 가변 이득 광검출기

애플리케이션

약광 감지

광섬유 감지 시스템

우주 광통신

주문 정보

모델

매개변수

ROF-PR-11M-B

ROF-PR-13M-A

응답 주파수

DC-11MHz

DC-13MHz

유형

실리콘(Si)

인듐 갈륨 비소(InGaAs)

빛에 대한 민감도 1

320nm~1100nm

900nm~1700nm

감광성 영역

직경 9.8mm (75.4mm)2 )

직경 1.0mm (0.8mm)2 )

참고 1: 근사값이며, 실제 파장 값은 다를 수 있습니다.

 

 

 

매개변수

성능 사양 2    (KG-PR-11M-B)

0dB 환경

40dB 환경

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

1.50 x 103V/A ±2%

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

1.50 x 105V/A ±2%

이득(50Ω)

0.75 x 103V/A ±2%

이득(50Ω)

0.75 x 105V/A ±2%

3dB 대역폭 3

11MHz

3dB 대역폭

150K

잡음(RMS)

400uV

잡음(RMS)

 500uV

편견

±8mV (일반값)

±20mV (최대)

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

10dB 환경

50dB 환경

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

4.75 x 103V/A ±2%

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

4.75 x 105V/A ±2%

이득(50Ω)

2.38 x 103V/A ±2%

이득(50Ω)

2.38 x 105V/A ±2%

3dB 대역폭

1.4MHz

3dB 대역폭

5만

잡음(RMS)

  350uV

잡음(RMS)

 520 마이크로볼트

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

20dB 환경

60dB 환경

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

1.50 x 104V/A ±2%

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

1.50 x 106V/A ±2%

이득(50Ω)

0.75 x 104V/A ±2%

이득(50Ω)

0.75 x 106V/A ±2%

3dB 대역폭

1.0MHz

3dB 대역폭

20K

잡음(RMS)

 380uV

잡음(RMS)

 760μV

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

편견

 ±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

30dB 환경

70dB 환경

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

4.75 x 104V/A ±2%

이득 (높은 저항 > 5kΩ)

4.75 x 106V/A ±2%

이득(50Ω)

2.38 x 104V/A ±2%

이득(50Ω)

2.38 x 106V/A ±2%

3dB 대역폭

400K

3dB 대역폭

10K

잡음(RMS)

 380uV

잡음(RMS)

 1.43mV

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

편견

±8mV (일반값) 

±20mV (최대) 

참고 2:ROF-PR-11M-B는 50Ω 직렬 종단 저항(즉, 증폭기 출력과 직렬로 연결됨)을 가지고 있습니다. 이는 임의의 부하 임피던스(예: 50Ω 부하)와 전압 분배기를 형성하여 신호를 절반으로 나눕니다.

참고 3: 850nm 파장에서 테스트를 수행하십시오. 근적외선 파장에서는 포토다이오드 구성 요소의 상승 시간이 느려져 증폭 검출기의 유효 대역폭이 제한될 수 있습니다.

일반 매개변수

프로젝트

검출기 유형

-

Si

감광성 표면

-

직경 9.8mm (75.4mm)2 )

피크 파장

λp

960nm (일반값)

최대 응답

(λp)

0.72 A/W (일반값)

출력 임피던스

-

50옴

최대 출력 전류 진폭

아이맥스

100mA

최대 출력 전압 진폭

Vmax

10.00V @ 고임피던스, 5.00V @ 50Ω 부하

부하 범위

-

>50 Ω

게인 조정 범위

-

0dB~70dB

게인 스텝

-

10dB

전원 스위치

-

게인 스위치

-

8단 기어

산출

-

SMA(DC 커플링)

제품 크기

-

66.6mm*52.2mm*22.4mm

PD 표면 깊이 4

-

6.1mm

무게 (액세서리 제외)

-

70g

부속품

-

SM1T1 커플링, SM1RR 고정 링

전원 공급 장치

-

AC-DC ± 12V 어댑터

전원 공급 장치 와트

-

6와트

100V/120V/230V, 50-60Hz

참고 4: 하우징 구조 표면에서 포토다이오드 표면까지의 대략적인 높이 차이로 인해 실제 설치 시 오류가 발생할 수 있습니다.

제한 조건

 

 

매개변수

단위

전형적인

맥스

입력 광 전력

mW

-

-

25

작동 전압

Vop

V

±10.8

±12

±13.2

작동 온도

맨 위

섭씨

-10

-

60

보관 온도

테스트

섭씨

-40

-

85

습기

RH

%

5

-

90

곡선

특성 곡선

ROF-PR-11M-B 감도 응답 다이어그램

 

포장 크기(mm)

회사 소개

로페아 옵토일렉트로닉스는 변조기, 광검출기, 레이저 소스, DFB 레이저, 광 증폭기, EDFA, SLD 레이저, QPSK 변조, 펄스 레이저, 광검출기, 평형 광검출기, 반도체 레이저, 레이저 드라이버, 광섬유 커플러, 펄스 레이저, 광섬유 증폭기, 광 파워 미터, 광대역 레이저, 튜너블 레이저, 광 지연 장치, 전기광학 변조기, 광검출기, 레이저 다이오드 드라이버, 광섬유 증폭기, 에르븀 도핑 광섬유 증폭기 및 레이저 소스를 포함한 광범위한 전기광학 제품을 전시합니다.
또한, 당사는 1*4 배열 위상 변조기, 초저 Vpi 변조기 및 초고 소멸비 변조기를 포함한 맞춤형 변조기를 제공하며, 이는 대학 및 연구 기관을 위해 특별히 설계되었습니다.
이 제품들은 최대 40GHz의 전기광학 대역폭, 780nm~2000nm의 파장 범위, 낮은 삽입 손실, 낮은 Vp, 높은 PER을 특징으로 하여 다양한 아날로그 RF 링크 및 고속 통신 애플리케이션에 적합합니다.


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  • 로페아 광전자공학은 상용 전자광학 변조기, 위상 변조기, 강도 변조기, 광검출기, 레이저 광원, DFB 레이저, 광 증폭기, EDFA, SLD 레이저, QPSK 변조, 펄스 레이저, 광 검출기, 평형 광검출기, 레이저 드라이버, 광섬유 증폭기, 광 파워 미터, 광대역 레이저, 튜너블 레이저, 광 검출기, 레이저 다이오드 드라이버, 광섬유 증폭기 등의 제품 라인을 제공합니다. 또한 1*4 배열 위상 변조기, 초저 Vpi 변조기, 초고 소광비 변조기 등 대학 및 연구기관에서 주로 사용되는 맞춤형 변조기도 제공합니다.
    저희 제품이 귀하의 연구에 도움이 되기를 바랍니다.

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